inversor fuera de red 48v

Todas las topologías requieren interruptores de alimentación de conmutación rápida. La etapa de refuerzo y la etapa de conversión de puente completo requieren diodos de conmutación rápida. Además, los conmutadores optimizados para la conversión de baja frecuencia (100 Hz) también son útiles para estas topologías. Para cualquier tecnología de silicio en particular, los interruptores optimizados para conmutación rápida tienen mayores pérdidas de conducción que los interruptores optimizados para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia.

La etapa de refuerzo generalmente está diseñada como un convertidor de modo de corriente continua. Según la cantidad de módulos solares en el conjunto utilizado por el inversor, elija si desea utilizar dispositivos de 600 V o 1200 V. Las dos opciones para interruptores de alimentación son MOSFET e IGBT. En términos generales, los MOSFET pueden funcionar a una frecuencia de conmutación más alta que los IGBT. Además, siempre hay que tener en cuenta la influencia del diodo de la carrocería: en el caso de la etapa de refuerzo no hay ningún problema, porque el diodo de la carrocería no conduce en el modo de funcionamiento normal. La pérdida de conducción de un MOSFET se puede calcular en función de la resistencia de conducción RDS (ON). Para una serie de MOSFET determinada, esto es proporcional al área efectiva del troquel. Cuando el voltaje nominal cambia de 600 V a 1200 V, la pérdida de conducción del MOSFET aumentará considerablemente. Por lo tanto, incluso si el RDS(ON) nominal es equivalente, el MOSFET de 1200 V no está disponible o el precio es demasiado alto.

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